China necesita fabricar chips de vanguardia para disputar la supremacía mundial a EEUU

 China necesita fabricar chips de vanguardia para disputar la supremacía mundial a EEUU. Para lograrlo tiene dos "proyectos Manhattan"

China está poniendo toda la carne en el asador. No tiene otra opción. O desarrolla su propia tecnología de fabricación de semiconductores de vanguardia o perderá su pugna por la supremacía mundial con EEUU. Sin chips avanzados 100% chinos su capacidad militar, el desarrollo de sus modelos de inteligencia artificial (IA) y la competitividad de sus empresas de tecnología se resentirán a medio plazo. Huawei y SMIC están fabricando circuitos integrados avanzados, pero emplean máquinas de la empresa neerlandesa ASML y una tecnología conocida como multiple patterning que compromete su competitividad.

Este escenario ha provocado que el Gobierno chino respalde con subvenciones muy jugosas a las compañías que tienen la capacidad de desarrollar equipos de fotolitografía de vanguardia, como SiCarrier, Shanghai Yuliangsheng, Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE), Huawei o SMIC. Sin embargo, su apuesta más contundente ha adquirido la forma de dos proyectos extraordinariamente ambiciosos que persiguen poner en las manos de China la capacidad de producir semiconductores de vanguardia antes de que expire la década actual

Hace exactamente un año, en marzo de 2025, se filtró que Huawei estaba probando el primer equipo de fotolitografía de ultravioleta extremo (UVE) diseñado y fabricado íntegramente en China. Durante los últimos doce meses la información acerca de esta máquina ha ido llegando muy poco a poco, pero actualmente sabemos lo suficiente para tomarnos muy en serio este proyecto. Su propósito es colocar en las manos de los fabricantes chinos de circuitos integrados la posibilidad de producir chips de alta integración sin utilizar los equipos de ASML.

No obstante, a diferencia de las máquinas UVE de esta compañía de Países Bajos el prototipo del proyecto liderado por Huawei emplea una fuente de luz ultravioleta de tipo LDP (descarga inducida por láser), y no de clase LPP (plasma generado por láser). Sobre el papel la fuente LDP es capaz de generar luz UVE con una longitud de onda de 13,5 nm, por lo que este prototipo chino debería ser capaz de competir de tú a tú con las máquinas de fotolitografía UVE de ASML. La fuente de radiación LDP es menos potente y más sencilla de implementar que una fuente LPP, aunque se ha filtrado que el Instituto de Tecnología de Harbin, que está alojado en el noreste de China, está probando una fuente LPP de 100 vatios

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